如今，集成電路已成為我國的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)之一，隨著市場需求的暴漲，越來越多的企業(yè)加入其中。在推動集成電路產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中，有很多科學(xué)家做出了巨大貢獻(xiàn)，他(她)們?yōu)檫@個(gè)產(chǎn)業(yè)打好了基礎(chǔ)，才有了現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)的繁榮。

我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了四個(gè)發(fā)展階段。第一階段是1965年到1978年，以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件;

第二階段是1978年到1990年，主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化;

第三階段是1990年到2000年，以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展;

第四階段是2000年到現(xiàn)在，智能手機(jī)和消費(fèi)電子的快速發(fā)展帶動了集成電路的發(fā)展，以上海、北京、深圳作為第一梯隊(duì)，中國集成電路產(chǎn)業(yè)整體快速發(fā)展的同時(shí)，中國集成電路企業(yè)實(shí)力也得到了顯著提升。

中國集成電路史上最具代表性的六位科學(xué)家

一、黃敞：中國航天微電子與微計(jì)算機(jī)技術(shù)的奠基人

1934年9月入南京五臺山小學(xué)學(xué)習(xí)，后隨父母搬遷，先后就讀于湖南長沙下馬嶺小學(xué)、香港中華中學(xué)附小。1953年獲得美國哈佛大學(xué)博士學(xué)位后，1953年至1958年期間，黃敞先生受聘于雪爾凡尼亞半導(dǎo)體廠，相繼擔(dān)任高級工程師、專家工程師和工程經(jīng)理，從事半導(dǎo)體前沿科學(xué)研究工作。

20世紀(jì)50年代初中期，當(dāng)時(shí)國際的半導(dǎo)體、晶體管理論與工藝技術(shù)處于研究開發(fā)階段。這一時(shí)期，身在美國的黃敞先生把研究重心放在了晶體管理論及制作工藝等半導(dǎo)體前沿科學(xué)上，通過在美國多家著名企業(yè)和院校進(jìn)行晶體管理論與技術(shù)的探索研究，系統(tǒng)論述了晶體管理論和應(yīng)用，發(fā)表論文20余篇，獲得美國專利10項(xiàng)。

1965年，為發(fā)展航天微電子與微計(jì)算機(jī)事業(yè)，黃敞先生調(diào)至同年組建的中國科學(xué)院156工程處，即771所前身，開始從事航天微電子與微計(jì)算機(jī)事業(yè)。黃敞成功研制出固體火箭用CMOS集成電路計(jì)算機(jī)，使我國衛(wèi)星運(yùn)載技術(shù)跨上了新臺階，也為后續(xù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。1975年，主持研制的大規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成的I2L微計(jì)算機(jī)，獲得了1978年全國第一次科學(xué)技術(shù)大會質(zhì)量金獎(jiǎng)。

二、鄧中翰：中國芯片之父

1968年9月5日出生于江蘇南京，微電子學(xué)、大規(guī)模集成電路及系統(tǒng)專家，中國工程院院士，星光中國芯工程總指揮，中星微集團(tuán)創(chuàng)建人，1987年9月，鄧中翰考入中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)地球和空間科學(xué)系 ，在大學(xué)期間，鄧中翰就在黃培華教授的指導(dǎo)下，進(jìn)行科學(xué)研究。1992年6月，本科畢業(yè)，獲得學(xué)士學(xué)位后赴美留學(xué)，進(jìn)入加利福尼亞大學(xué)伯克利分校學(xué)習(xí)，先后獲得物理學(xué)碩士、經(jīng)濟(jì)學(xué)碩士、電子工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)博士，成為該校成立130年來橫跨理、工、商三科學(xué)位的第一人。

2005年，鄧中翰領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)設(shè)計(jì)出的“星光”系列數(shù)字多媒體芯片，實(shí)現(xiàn)了八大核心技術(shù)突破，申請了該領(lǐng)域2000多項(xiàng)中國國內(nèi)外技術(shù)專利，取得了核心技術(shù)突破和大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的一系列重要成果，這是具有中國自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路芯片第一次在一個(gè)重要應(yīng)用領(lǐng)域達(dá)到全球市場領(lǐng)先地位，徹底結(jié)束了中國了“無芯”的歷史 。

鄧中翰是中國大規(guī)模集成電路及系統(tǒng)技術(shù)主要開拓者之一，鄧中翰在“星光中國芯工程”中做出了突出成就，被業(yè)界稱為“中國芯之父” 。

三、沈緒榜：研制16位嵌入式微計(jì)算機(jī)促進(jìn)NMOS技術(shù)的發(fā)展

1933年生于臨澧縣烽火鄉(xiāng)蘭田村，1953年沈緒榜考入武漢大學(xué)數(shù)學(xué)系，中國計(jì)算機(jī)專家、中國科學(xué)院院士，1957年畢業(yè)于北京大學(xué)數(shù)學(xué)力學(xué)系。中國航天時(shí)代電子公司第七七一研究所研究員，大學(xué)兼職教授，一直從事嵌入式計(jì)算機(jī)及其芯片的設(shè)計(jì)工作。

沈緒榜一直從事航天計(jì)算機(jī)及其國產(chǎn)芯片的設(shè)計(jì)研制工作，并作出了重大貢獻(xiàn)。1965年，他設(shè)計(jì)研制了我國第一臺國產(chǎn)雙極小規(guī)模集成電路航天制導(dǎo)計(jì)算機(jī)，并首次研制出了我國第一臺國產(chǎn)PMOS中規(guī)模集成電路航天制導(dǎo)計(jì)算機(jī)，促進(jìn)了中國PMOS集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展。

1977年完成了我國第一臺國產(chǎn)NMOS大規(guī)模集成電路航天專用16位微計(jì)算機(jī)的研制，獲國家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，他研制的專用大規(guī)模集成電路運(yùn)算邏輯部件ALU于1988年獲國防專用國家級科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。

四、許居衍：創(chuàng)建中國第一個(gè)集成電路專業(yè)研究所

1934年7月9日 出生于福建省閩侯縣，1953-1956年 廈門大學(xué)物理系學(xué)習(xí)，1956-1957年 北京大學(xué)物理系學(xué)習(xí)。1970年，他參與了中國第一個(gè)集成電路專業(yè)研究所——第二十四研究所的創(chuàng)建，組織中國第一塊硅平面單片集成電路的研制定型、參與計(jì)算機(jī)輔助制版系統(tǒng)及離子注入技術(shù)的基礎(chǔ)研究，在集成電路工程技術(shù)的研究方面作出了創(chuàng)新性貢獻(xiàn)。

1978年起，他開始擔(dān)任所級技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)工作，對24所在確定科技方向、預(yù)先研究、繁榮學(xué)術(shù)活動和加速人才培養(yǎng)、組織科技攻關(guān)等方面，均做出了明顯成績。在他擔(dān)任總工程師期間，24 所完成了4K、16K、64K DRAM、八位微機(jī)、超高速ECL、八位數(shù)模轉(zhuǎn)換器等重大科技開發(fā)工作，先后獲得國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)，部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)10多項(xiàng)。

許居衍同志是中國微電子工業(yè)初創(chuàng)奠基的參與者和當(dāng)今最重點(diǎn)企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)建與開拓者，為中國微電子工業(yè)發(fā)展作出了重大貢獻(xiàn)。

五、林為干：中國微波之父

1919年10月20日生于廣東臺山縣.中國科學(xué)院院士、微波理論學(xué)家、電子科技大學(xué)教授。1939年畢業(yè)于清華大學(xué)。1951年獲美國加州大學(xué)博士學(xué)位，1951年回國后，在嶺南大學(xué)、華南工學(xué)院任教。

林為干對中國電磁科學(xué)的發(fā)展作出了杰出的貢獻(xiàn)，他50年來在此領(lǐng)域耕耘至今，其主要科技成就為閉合場理論，開放場理論和鏡像理論。在閉合場理論方面，他發(fā)表了“一腔多模擬微波濾波器”的觀點(diǎn)，奠定了一腔多模的作用，林為干開展了毫米波技術(shù)和寬帶光纖技術(shù)等方面的系統(tǒng)研究，完成了一大批國家科研任務(wù)，取得了一系列成果。

正是由于他在國內(nèi)微波理論方面作出的開拓性貢獻(xiàn)，香港中文大學(xué)在1993年邀請林為干做學(xué)術(shù)報(bào)告時(shí)，尊他為“中國微波之父”。

六、吳德馨：國內(nèi)首次成功研制硅平面型高速開關(guān)晶體管

1936出生于河北樂亭，半導(dǎo)體器件和集成電路專家，1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子工程系，主要從事化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)晶體管和電路的研究，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場效應(yīng)晶體管、砷化鎵/銦鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管和研制成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發(fā)射驅(qū)動電路。

60年代初，吳德馨在國內(nèi)首先研究成功硅平面型高速開關(guān)晶體管，所提出的提高開關(guān)速度的方案被廣泛采用，并向全國推廣，60年代末期研究成功介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運(yùn)算放大器模擬電路，70年代末研究成功MOS4K位動態(tài)隨機(jī)存儲器。在國內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術(shù)用于大規(guī)模集成電路的研制，并進(jìn)行了提高成品率的研究。

吳德馨在國內(nèi)率先提出了利用MEMS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)激光器和光纖的無源耦合，并研究成功工作速率達(dá)10Gbps的光發(fā)射模塊。其中“先進(jìn)的深亞微米工藝技術(shù)及新型器件”獲2003年北京市科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)。獨(dú)立自主開發(fā)成功全套0.8微米CMOS工藝技術(shù)，獲1998年中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和1999年國家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

俗話說：喝水不忘挖井人，我們在享受技術(shù)帶來便利的同時(shí)，也不要忘了那些為開拓技術(shù)獻(xiàn)身的人，他(她)們是國家和集成電路產(chǎn)業(yè)的驕傲，筆者列出這些科學(xué)家的目的一方面是表示對這些科學(xué)家的敬意，另一方面是鼓勵(lì)更多的企業(yè)或個(gè)人為中國集成電路做出更大的貢獻(xiàn)，助力“中國芯”的發(fā)展。