ASML 和 IMEC 宣布共同開發(fā) high-NA EUV 光刻試驗線
(相關資料圖)
IT之家 6 月 29 日消息，比利時微電子研究中心 (IMEC) 以及 ASML 今日宣布，雙方將在開發(fā)最先進高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻試驗線的下一階段加強合作，為使用半導體技術的行業(yè)提供原型設計平臺和未開發(fā)的未來機遇。
今天簽署的諒解備忘錄旨在幫助使用半導體技術的產(chǎn)業(yè)了解先進半導體技術帶來的機遇，并獲得一個支持其創(chuàng)新的原型平臺。imec、ASML 和其他合作伙伴之間的合作將使探索新型半導體應用成為可能，為芯片制造商和最終用戶開發(fā)可持續(xù)的、前沿的制造解決方案的可能性，以及與設備和材料生態(tài)系統(tǒng)合作開發(fā)先進的整體圖案流動。
IT之家從官方新聞稿中看到，雙方簽署的諒解備忘錄包括在比利時魯汶的 IMEC 試驗線安裝和服務 ASML 的全部先進光刻和測量設備，包括最新的 0.55 NA EUV（TWINSCAN EXE:5200）、0.33 NA EUV（TWINSCAN NXE:3800）、DUV 浸沒（TWINSCAN NXT:2100i）、Yieldstar 光學測量和 HMI 多光束等。這意味著該試點線將具有非常重要的價值，特別是在高級試點線上。
官方表示，這項開創(chuàng)性的新高 NA 技術對于開發(fā)高性能、節(jié)能型芯片至關重要，例如下一代 AI 系統(tǒng)。它還能夠用于解決我們社會面臨的一些主要挑戰(zhàn)的創(chuàng)新深度技術成為可能，例如醫(yī)療保健、營養(yǎng)、移動 / 汽車、氣候變化和可持續(xù)能源等領域。
為確保在 2025 年之后實現(xiàn)行業(yè)范圍內(nèi)的廣泛訪問高級 NA EUV 光刻技術，需要進行大量的投資，并保持與歐洲相關的先進節(jié)點過程研發(fā)能力。
據(jù)介紹，這一諒解備忘錄啟動了 ASML 和 IMEC 在高級 NA EUV 上的下一階段密集合作。第一階段的工藝研究正在使用第一臺高級 NA EUV 掃描儀 (TWINSCAN EXE:5000) 在 imec-ASML 高級 NA 實驗室中執(zhí)行。
IMEC 和 ASML 將與所有領先的芯片制造商、材料和設備生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴合作，目的是為最快可能地大規(guī)模制造做好技術準備。
在下一階段，這些活動將在比利時魯汶市 IMEC 試點線的下一代高級 NA EUV 掃描儀 (TWINSCAN EXE:5200) 上加速進行。
“ASML 正在向 IMEC 最先進的試點工廠做出實質性承諾，以支持歐洲的半導體研究和可持續(xù)創(chuàng)新。隨著人工智能 (AI) 迅速擴展到自然語言處理、計算機視覺和自主系統(tǒng)等領域，任務的復雜性不斷增加。因此，開發(fā)能夠滿足這些計算需求而不耗盡地球寶貴資源的芯片技術至關重要，” ASML 總裁兼首席執(zhí)行官 Peter Wennink 說。
廣告聲明：本文含有的對外跳轉鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結果僅供參考。IT之家所有文章均包含本聲明。
標簽：
